发明公开
- 专利标题： 一种预电离结构及准分子激光器
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申请号： CN202211634286.X申请日： 2022-12-19
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公开(公告)号： CN118232141A公开(公告)日： 2024-06-21
- 发明人: 吴亦轩 , 邢英金 , 吴劲松 , 刘斌 , 刘广义 , 徐向宇
- 申请人： 北京科益虹源光电技术有限公司
- 申请人地址： 北京市大兴区经济技术开发区融兴北一街19号院中寰工程4号楼一层
- 专利权人： 北京科益虹源光电技术有限公司
- 当前专利权人： 北京科益虹源光电技术有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市大兴区经济技术开发区融兴北一街19号院中寰工程4号楼一层
- 代理机构： 北京融智邦达知识产权代理事务所
- 代理商 吴强
- 主分类号： H01S3/038
- IPC分类号： H01S3/038 ; H01S3/0977
摘要：
本发明提供了一种预电离结构及准分子激光器，预电离结构包括放电腔内设置的电极和预电离绝缘介质管；在电极的长度方向上，预电离绝缘介质管和电极之间的间距变化设置。本发明在电极长度方向上，预电离绝缘介质管与电极间距不等，或呈一定规律变化或不规律变化，激波从预电离绝缘介质管返回的放电区域时间则会变的不同，从而可以减弱激波对线宽的影响。
