发明公开
- 专利标题: 室温下为马氏体相的NiMnGa-X磁制冷多晶合金及其制备方法
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申请号: CN202410350507.3申请日: 2024-03-26
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公开(公告)号: CN118241077A公开(公告)日: 2024-06-25
- 发明人: 邹乃夫 , 张舒春 , 谷治鸿 , 于天小 , 王竑霖 , 李栋 , 李宗宾 , 杜兴蒿 , 武保林
- 申请人: 沈阳航空航天大学
- 申请人地址: 辽宁省沈阳市道义经济开发区道义南大街37号
- 专利权人: 沈阳航空航天大学
- 当前专利权人: 沈阳航空航天大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省沈阳市道义经济开发区道义南大街37号
- 代理机构: 沈阳维特专利商标事务所
- 代理商 李丹
- 主分类号: C22C19/03
- IPC分类号: C22C19/03 ; C22C30/00 ; C22C30/02 ; B22F3/115 ; C22F1/10 ; H01F1/01 ; C09K5/14 ; H01F41/00
摘要:
本发明公开了一种室温下为马氏体相的NiMnGa‑X磁制冷多晶合金及其制备方法,其中,所述制备方法包括如下步骤:配制室温下均为马氏体相的NiMnGa‑X磁制冷多晶合金并熔铸,其中,X为Cu或Co;对铸态合金进行喷铸,之后进行定向凝固,得到具有预取向的多晶合金;对所述具有预取向的多晶合金进行均匀化退火处理;在室温下,对均匀化退火处理后的合金进行应力场训练,得到实现磁热性能多重优化的室温下为马氏体相的NiMnGa‑X磁制冷多晶合金,其中,应力场训练的压缩方向平行于定向凝固方向,压缩变形量为3~7%。该方法制备可以更全面地优化NiMnGa多晶合金的磁热性能并缩短训练周期。