发明公开
- 专利标题: 一种高稳定性电子铜浆及制备方法
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申请号: CN202410462944.4申请日: 2024-04-17
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公开(公告)号: CN118248376A公开(公告)日: 2024-06-25
- 发明人: 彭逸霄 , 王翀 , 洪延 , 李玖娟 , 王守绪 , 周国云 , 陈苑明
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 成都点睛专利代理事务所
- 代理商 敖欢
- 主分类号: H01B1/22
- IPC分类号: H01B1/22 ; H01B13/00
摘要:
本发明提供一种高稳定性电子铜浆及制备方法,包括如下步骤:(1)在铜粉或块体铜表面形成吸附层,吸附层含有A类试剂;铜粉或块体铜在B类溶剂的含量是0.5~100g/L;(2)将形成吸附层的铜粉或块体铜加入B类溶剂和C类催化剂,A类试剂在B类溶剂中的含量是0.1~50g/L;C类催化剂在B类试剂中的含量:0.05~1g/L,A类试剂选自:低沸点有机酸、醇、醛及其金属盐;本发明形成的自催化保护膜抗氧化能力强,保护周期长;形成的自催化保护膜在较低的烧结温度下即可分解;自催化保护膜制备方便,可普遍用于各类铜的保护;自催化保护膜由铜催化生成,结合力强。