发明公开
- 专利标题: 一种屏蔽高能电子的高熵合金涂层及其制备方法和应用
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申请号: CN202410342505.X申请日: 2024-03-25
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公开(公告)号: CN118291966A公开(公告)日: 2024-07-05
- 发明人: 吴晓宏 , 郑宏超 , 李杨 , 洪杨 , 赵会阳 , 卢松涛 , 秦伟
- 申请人: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号;
- 专利权人: 哈尔滨工业大学,哈尔滨工业大学重庆研究院
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学,哈尔滨工业大学重庆研究院
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号;
- 代理机构: 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司
- 代理商 王芳
- 主分类号: C23C24/10
- IPC分类号: C23C24/10 ; C22C30/00 ; B22F9/04 ; H05K9/00
摘要:
本发明公开了一种屏蔽高能电子的高熵合金涂层及其制备方法和应用,属于抗辐照金属材料技术领域。本发明解决了现有航空航天及核工业领域中所面临的高能电子辐照引起器件故障问题。本发明利用激光熔覆技术在铁素体/马氏体钢基体表面制备了具有单一BCC相结构的AlCrFeVWx高熵合金防护涂层,在保证总体密度变化不大的前提下,有效提高了基体材料的辐射屏蔽能力,从而保障了电子器件的稳定运行。并且涂层和基体冶金结合良好,涂层组织均匀结构稳定,表面无裂纹,呈现良好的宏观形貌,具有机械性能优异、高温稳定性强,满足在极端环境长期使用条件,具有广阔的发展潜力。