发明公开
- 专利标题: 一种基于杂化MAPbI3的压电式压力传感器的制备方法及传感器
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申请号: CN202410261767.3申请日: 2024-03-07
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公开(公告)号: CN118294045A公开(公告)日: 2024-07-05
- 发明人: 程鹏飞 , 王莹麟 , 马汝霖 , 王天亮 , 孙善富 , 何晓川 , 郝熙冬
- 申请人: 西安电子科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 代理机构: 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理商 辛菲
- 主分类号: G01L1/16
- IPC分类号: G01L1/16 ; G01L9/08 ; H10N30/092 ; H10N30/85
摘要:
本发明涉及一种基于杂化MAPbI3的压电式压力传感器的制备方法及传感器,该制备方法包括:制备得到钛酸钡粉末;制备得到甲基胺碘化铅前驱体溶液;将聚偏氟乙烯分散在N,N‑二甲基甲酰胺中,得到聚偏氟乙烯溶液;将甲基胺碘化铅前驱体溶液与聚偏氟乙烯溶液混合得到第一混合溶液,将钛酸钡粉末添加至第一混合溶液中,搅拌至钛酸钡粉末分散均匀,得到复合基钙钛矿前驱体溶液;利用复合基钙钛矿前驱体溶液制备得到有机钙钛矿‑压电聚合物‑无机钙钛矿的三元复合压电薄膜;采用ITO‑PET导电膜作为上下电极,利用三元复合压电薄膜制备得到压电式压力传感器。本发明的压电式压力传感器,能够展现出高的介电性能,在兼顾高的电压输出的同时,还体现出了高灵敏度。