发明公开
- 专利标题: 一种110KV以上半导屏蔽材料及其制备方法
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申请号: CN202310023786.8申请日: 2023-01-09
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公开(公告)号: CN118307870A公开(公告)日: 2024-07-09
- 发明人: 杨开业 , 王文博 , 祁先勇 , 刘海燕 , 王优浩 , 石耀东 , 刘敬锐 , 李肇坚
- 申请人: 万华化学(宁波)有限公司
- 申请人地址: 浙江省宁波市大榭开发区环岛北路39号万华工业园
- 专利权人: 万华化学(宁波)有限公司
- 当前专利权人: 万华化学(宁波)有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省宁波市大榭开发区环岛北路39号万华工业园
- 主分类号: C08L23/08
- IPC分类号: C08L23/08 ; H05K9/00 ; C08K9/06 ; C08K3/04 ; C08K3/08
摘要:
本发明公开一种110KV以上半导屏蔽材料及其制备方法。半导屏蔽材料,包含如下组分:15‑85重量份的高分子聚合物;1‑60重量份的炭黑/银复合导电粒子;任选地,0‑3重量份的加工助剂。本发明的半导屏蔽材料能够很好的提高半导屏蔽材料耐压等级,并且制备葡萄枝状结构的炭黑/银复合导电粒子,明显提高炭黑在树脂中的分散效果,降低炭黑在高压屏蔽材料生产中的添加量。