Invention Grant
- Patent Title: 一种同型半胱氨酸分子印迹电化学传感器及其制备方法与应用
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Application No.: CN202410226981.5Application Date: 2024-02-29
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Publication No.: CN118311112BPublication Date: 2024-11-15
- Inventor: 郑冬云 , 张顺润 , 朱春楠 , 刘超 , 刘晓军
- Applicant: 中南民族大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区民族大道182号
- Assignee: 中南民族大学
- Current Assignee: 中南民族大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市洪山区民族大道182号
- Agency: 北京中睿智恒知识产权代理事务所
- Agent 黄莉
- Main IPC: G01N27/327
- IPC: G01N27/327
Abstract:
本发明提供了一种同型半胱氨酸分子印迹电化学传感器及其制备方法与应用,属于分子印迹技术领域。本发明用MWCNTs‑SDS修饰裸GCE得到MWCNTs‑SDS/GCE,然后以吡咯作为检测Hcy的功能单体,构建同型半胱氨酸分子印迹电化学传感器MIP/MWCNTs‑SDS/GCE。本发明构建的MIP/MWCNTs‑SDS/GCE特异性高,抗L‑半胱氨酸、谷胱甘肽、多巴胺干扰能力强,灵敏度高,对Hcy的检测限(LOD)为3.3×10‑11mol/L,并且制备方法简单,成本低,可用于工厂化生产。
Public/Granted literature
- CN118311112A 一种同型半胱氨酸分子印迹电化学传感器及其制备方法与应用 Public/Granted day:2024-07-09
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