- 专利标题: 一种高电容POM@MOF水系铵根离子储能电极材料的制备方法及应用
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申请号: CN202410593017.6申请日: 2024-05-14
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公开(公告)号: CN118335537A公开(公告)日: 2024-07-12
- 发明人: 常进法 , 梁宇 , 邢子豪
- 申请人: 东北师范大学
- 申请人地址: 吉林省长春市人民大街5268号
- 专利权人: 东北师范大学
- 当前专利权人: 东北师范大学
- 当前专利权人地址: 吉林省长春市人民大街5268号
- 代理机构: 北京金杉知识产权代理有限公司
- 代理商 李享
- 主分类号: H01G11/86
- IPC分类号: H01G11/86 ; H01G11/30 ; H01G11/48 ; H01G11/24
摘要:
本发明公开了一种高电容POM@MOF水系铵根离子储能电极材料的制备方法及应用,制备方法包括以下步骤:(1)将磷钼酸、硝酸银依次溶于去离子水中,搅拌均匀得到溶液A;(2)将均苯三甲酸溶于去离子水中,超声搅拌分散得到溶液B;(3)将溶液B缓慢加入溶液A中,搅拌、离心、洗涤、干燥得到水系铵根离子储能电极材料。本发明采用上述结构的一种高电容POM@MOF水系铵根离子储能电极材料的制备方法及应用,通过将{PMo12}包裹在孔径微小的Ag‑BTC表面,实现对NH4+的高效嵌入/脱嵌,制备的水系铵根离子储能电极材料具有卓越的电化学性能和稳定性。