发明公开
CN118339685A 制造离子导电膜的方法
审中-公开
- 专利标题： 制造离子导电膜的方法
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申请号： CN202280076318.0申请日： 2022-12-08
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公开(公告)号： CN118339685A公开(公告)日： 2024-07-12
- 发明人: J·库尔 , A·迪金森 , J·奥沙利文
- 申请人： 庄信万丰氢能科技有限公司
- 申请人地址： 英国伦敦
- 专利权人： 庄信万丰氢能科技有限公司
- 当前专利权人： 庄信万丰氢能科技有限公司
- 当前专利权人地址： 英国伦敦
- 代理机构： 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- 代理商 王刚
- 优先权： 2117685.4 20211208 GB
- 国际申请： PCT/GB2022/053130 2022.12.08
- 国际公布： WO2023/105229 EN 2023.06.15
- 进入国家日期： 2024-05-16
- 主分类号： H01M8/102
- IPC分类号： H01M8/102 ; H01M8/1039 ; H01M8/1053 ; H01M8/1058 ; C08J5/22
摘要：
根据本发明，提供了一种制造离子导电膜的方法。该方法包括以下步骤：(a)提供衬底；(b)将第一分散体沉积到该衬底上以形成第一层，其中该第一分散体包含离子导电聚合物；(c)将第二分散体沉积到该第一分散体上以在该第一层上形成第二层，其中该第二分散体包含离子导电聚合物；(d)提供包括孔的增强组分，使得该第二分散体浸渍该增强组分的这些孔中的至少一些孔；以及(e)干燥该第一层和该第二层，其中步骤(e)在步骤(c)和(d)之后进行。
