本申请提供一种堆叠纳米片环栅场效应晶体管及其制造方法，衬底具有多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域，第一掺杂区域上方具有堆叠的多个第一半导体层，第二掺杂区域上方具有堆叠的多个第二半导体层；在多个第一半导体层之间和多个第二半导体层之间，具有依次包围的界面氧化层、第一高k介质层、第二高k介质层、隔离层和金属栅；第一高k介质层的静电偶极子的方向，与第二高k介质层的静电偶极子的方向相反；位于第一目标区域内的第一高k介质层的第一厚度，与位于第二目标区域内的第一高k介质层的第二厚度不同，实现CMOS器件多阈值与单种器件多阈值，提高器件多阈值集成的准确度，能够扩大阈值电压的调整范围。