发明公开
- 专利标题： 一种小分子掺杂的钙钛矿发光二极管及其制备方法
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申请号： CN202410305037.9申请日： 2024-03-18
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公开(公告)号： CN118368915A公开(公告)日： 2024-07-19
- 发明人: 郭坤平 , 李宁星 , 张麦丽 , 李梦瑶 , 万鹏程 , 唐喆 , 张方晖
- 申请人： 陕西科技大学 , 陕西新航佳成电子科技有限公司
- 申请人地址： 陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学;
- 专利权人： 陕西科技大学,陕西新航佳成电子科技有限公司
- 当前专利权人： 陕西科技大学,陕西新航佳成电子科技有限公司
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市未央区大学园区陕西科技大学;
- 代理机构： 西安鼎迈知识产权代理事务所
- 代理商 安伟伟
- 主分类号： H10K50/12
- IPC分类号： H10K50/12 ; H10K71/00 ; H10K50/16 ; H10K71/30 ; H10K85/50
摘要：
本发明公开了一种小分子掺杂的钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于发光二极管技术领域。小分子掺杂的钙钛矿发光二极管包括依次设置的阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极界面修饰层和阴极，其中发光层为掺杂Bphen的钙钛矿层，发光层中Bphen的掺杂量为0.03～0.08mol％，本发明通过调控钙钛矿前驱液中Bphen的掺杂比例，在提高器件发光层中载流子平衡的同时抑制界面损耗，得到电‑光转换效率提高的钙钛矿发光器件。
