一种多芯片并联的高功率半导体模块的封装结构。所述多芯片并联的高功率半导体模块的封装结构包括绝缘散热片组件，芯片，以及金属引线框架组件。所述绝缘散热片组件包括绝缘层，内金属导电层，以及外金属导电层。所述内金属导电层上蚀刻设置有沟道，沟道将所述内金属导电层分为镀银烧结芯片区，引脚信号区，以及引脚输入区。所述金属引线框架组件包括引脚输出部，引脚信号部，以及引脚输入部。在所述引脚输出部的一端延伸出来有多个并排设置的焊接部。所述焊接部位于所述芯片的上方且经过所述芯片处设置有与所述芯片贴合的焊接凹槽。所述焊接凹槽与所述芯片进行焊接，使用打沉的凹槽结构对芯片进行双面焊接，增加热容，提升过电流能力。