本发明涉及一种半导体激光器芯片结构，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上包覆层，上波导层包括第一上波导层和第二上波导层；通过光刻和蚀刻工艺，刻蚀上包覆层、电子阻挡层和上波导层的非脊区域，脊刻穿上覆层和电子阻挡层，并刻蚀掉一部分上波导层的厚度，刻蚀掉上波导层的厚度为100～3000埃米，刻蚀余留下的上波导层、电子阻挡层、上包覆层组成脊；脊的上方制备接触电极，脊的侧壁镀上钝化层；第一上波导层余下厚度为100～3000埃米，第一上波导层和余下第二上波导层组成余下上波导层。