发明授权
- 专利标题: 一种反激芯片损耗状态监控方法和系统
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申请号: CN202410903409.8申请日: 2024-07-08
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公开(公告)号: CN118444200B公开(公告)日: 2024-09-24
- 发明人: 万久森 , 丁亚群 , 丁鹏 , 黄行军
- 申请人: 杭州得明电子有限公司
- 申请人地址: 浙江省杭州市余杭区五常街道文一西路998号19幢702室
- 专利权人: 杭州得明电子有限公司
- 当前专利权人: 杭州得明电子有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市余杭区五常街道文一西路998号19幢702室
- 代理机构: 北京市恒有知识产权代理事务所
- 代理商 黄挺
- 主分类号: G01R31/40
- IPC分类号: G01R31/40 ; G01R19/12 ; G01R19/165
摘要:
本发明涉及一种反激芯片损耗状态监控方法和系统,方法包括:检测反激芯片的输出电压压降变化,判断其是否超出预设的阈值变化率;使用第一比较器检测反激芯片输出电压的压降是否超出第一阈值压降,若超出,则输出翻转信号;使用第二比较器检测反激芯片输出电压的压降是否超出第二阈值压降,若超出,则输出翻转信号,其中,所述第一阈值压降小于第二阈值压降;使用计时器在第一比较器输出翻转时刻开始计时,以确定压降变化是否在预设的计时时间T内超出阈值变化率;根据第一比较器和第二比较器的输出翻转信号及计时器的计时结果,判断反激芯片的损耗状态是否正常。能够及时识别电压异常,增强了监控系统的灵敏度和适应性。
公开/授权文献
- CN118444200A 一种反激芯片损耗状态监控方法和系统 公开/授权日:2024-08-06