本发明公开了一种表征沟槽形貌的测试方法包括：提供半导体衬底。形成多个沟槽。在第一测试结构形成区域中四个沟槽围绕形成第一沟槽环，环绕区域内部以及埋层的顶部表面之上的第一外延层形成第一电阻监控结构。在第二测试结构形成区域中四个沟槽围绕形成第二沟槽环，环绕区域内部以及埋层的顶部表面之上的第一外延层形成第二电阻监控结构。在沟槽中填充第二导电类型柱。形成电阻测试端。分别测量第一和第二电阻监控结构的电阻得到第一和第二电阻值。分别测量第一和第二电阻监控结构的宽度得到第一和第二宽度测量值。通过测量值计算出和沟槽角度相关的角度相关参数。本发明能降低沟槽形貌的监控难度并从而有利于生产稳定性的改善。