本发明公开了一种n‑i‑p‑i‑n型可见‑红外双波段光电探测器及其制备方法，属于光电探测技术领域。该方法包括：在衬底上生长TiO2薄膜作为第一电子传输层；在第一电子传输层上生长Sb2S3薄膜作为第一本征吸收层；基于固相配体交换法在第一本征吸收层上形成PbS‑EDT量子点薄膜作为空穴传输层；基于液相配体交换法在空穴传输层上形成PbS‑IBr量子点薄膜作为第二本征吸收层；第二本征吸收层上沉积ZnO薄膜作为第二电子传输层；暴露部分导电玻璃衬底，制备分别接触第二电子传输层和衬底的两组金属电极。本发明实现了在单个器件中进行电压偏置调节切换的可见与红外双波段光电探测，极大地扩宽了光谱探测范围及其应用领域。