本发明提出了一种钼铜载体表面共晶焊料制备方法，包括：对钼铜载体的表面进行预处理；将钼铜载体置于物理气相沉积设备中，物理气相沉积Cr薄膜与Cu薄膜；将当前钼铜载体表面物理气相沉积Au80Sn20焊料，其中沉积方式为Au靶与Sn靶共溅射；将钼铜载体翻面，放置于物理气相沉积设备中，于钼铜载体的另一面物理气相沉积Ni薄膜与Au薄膜。本发明采用在物理气相沉积的方式，在钼铜载体表面制作了Au80Sn20焊料，可提供预制了焊料的热沉载体，焊料可焊性良好，膜层光亮致密；并且，本发明简化了GaAs/GaN芯片共晶焊接工艺流程，共晶焊接过程中不再需要放置焊料并控制其位置，完成了GaAs/GaN芯片共晶的共晶模块可继续进行钎焊工艺。