发明公开
- 专利标题: 一种促进多壁碳纳米管生长的碳基催化剂及其制备方法
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申请号: CN202410569160.1申请日: 2024-05-09
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公开(公告)号: CN118491504A公开(公告)日: 2024-08-16
- 发明人: 王滨 , 董仕珍 , 王涵 , 周祚万 , 李金阳
- 申请人: 西南交通大学
- 申请人地址: 四川省成都市郫都区犀安路999号
- 专利权人: 西南交通大学
- 当前专利权人: 西南交通大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市郫都区犀安路999号
- 代理机构: 成都九熙专利代理事务所
- 代理商 轩勇丽
- 主分类号: B01J21/18
- IPC分类号: B01J21/18 ; B01J37/08 ; C01B32/162
摘要:
本发明公开了一种促进多壁碳纳米管生长的碳基催化剂及其制备方法,涉及碳纳米管制备技术领域,该方法包括以下步骤:在惰性气体氛围条件下,将高分子碳源加热,并保温,然后冷却至室温,制得预碳化产物;于真空条件下,进行焦耳热冲击,然后,恢复常压,制得高分子衍生拓扑缺陷碳,即促进多壁碳纳米管生长的碳基催化剂。本发明提出的基于焦耳热冲击技术的杂原子脱除法,提高了碳催化剂拓扑缺陷的构筑效率;本发明由于催化剂也为碳基材料,它的残留不会对碳纳米管的性能产生显著影响,从而避免了因金属催化剂去除过程影响碳纳米管性能的问题。本发明解决了现有碳材料拓扑缺陷构筑方法存在构筑效率低以及金属催化剂制备碳纳米管时存在残留的问题。