发明公开
- 专利标题: 薄膜镁电池钴酸镁正极靶材、制备方法及薄膜镁电池
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申请号: CN202310172870.6申请日: 2023-02-22
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公开(公告)号: CN118530004A公开(公告)日: 2024-08-23
- 发明人: 周钧 , 马贵龙 , 刘孝伟 , 甘志俭
- 申请人: 超威电源集团有限公司
- 申请人地址: 浙江省湖州市长兴县雉城镇新兴工业园区
- 专利权人: 超威电源集团有限公司
- 当前专利权人: 超威电源集团有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省湖州市长兴县雉城镇新兴工业园区
- 代理机构: 北京天达知识产权代理事务所有限公司
- 代理商 岳渊渊
- 主分类号: C04B35/01
- IPC分类号: C04B35/01 ; C23C14/34 ; C23C14/08 ; C04B35/622 ; H01M4/525 ; H01M10/054
摘要:
本发明涉及一种薄膜镁电池钴酸镁正极靶材、制备方法及薄膜镁电池,属于镁电池技术领域。制备方法包括:将镁盐粉末与四氧化三钴粉末混合得到混合粉末;将混合粉末放入球磨罐内与氧化锆球相混合,然后添加分散剂继续混合、球磨;然后在球磨罐内添加粘结剂,继续球磨;球磨后的合成粉过500目的筛,过筛的合成粉经称重后,倒入震动模具内,加压,形成模压的坯料;将坯料放入冷等静压机内加压并保压,得到冷等静压后的钴酸镁正极靶材坯料;将钴酸镁正极靶材坯料放入气氛烧结炉内或者放入真空烧结炉内,进行多段保温、多段降温后,随炉自然冷却到室温,得到薄膜镁电池钴酸镁正极靶材。本发明制得的薄膜镁电池钴酸镁正极靶材的成分均匀,便于薄膜沉积。