发明公开
- 专利标题: 一种基于逆阻型IGBT的MMC子模块拓扑及其故障电流阻断方法
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申请号: CN202410535097.X申请日: 2024-04-30
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公开(公告)号: CN118539389A公开(公告)日: 2024-08-23
- 发明人: 宋勇辉 , 曹虹 , 刘佳琪 , 王书扬 , 戴飞扬 , 张浩
- 申请人: 中国电力科学研究院有限公司 , 国网山东省电力公司青岛供电公司
- 申请人地址: 北京市海淀区清河小营东路15号;
- 专利权人: 中国电力科学研究院有限公司,国网山东省电力公司青岛供电公司
- 当前专利权人: 中国电力科学研究院有限公司,国网山东省电力公司青岛供电公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清河小营东路15号;
- 代理机构: 北京工信联合知识产权代理有限公司
- 代理商 贾银秋
- 主分类号: H02H7/12
- IPC分类号: H02H7/12 ; H02M1/00
摘要:
本发明公开了一种基于逆阻型IGBT的MMC子模块拓扑及其故障电流阻断方法。所述MMC子模块拓扑包括:串联的第一半桥子模块与第二半桥子模块,第一半桥子模块包括第一开关单元、第二开关单元与第一电容;第二半桥子模块包括第三开关单元、第四开关单元与第二电容;第一开关单元、第三开关单元与第四开关单元均采用IGBT反向并联续流二极管的结构形式,第一开关单元、第三开关单元与第四开关单元的关断为IGBT关断,第一开关单元、第三开关单元与第四开关单元的导通双向同时导通;第二开关单元采用两个逆阻型IGBT的结构形式,具有双向导通‑双向关断能力,第二开关单元的关断为逆阻型IGBT关断,第二开关单元的导通为双向导通。