本发明公开了一种第三代半导体SiC衬底外延的增材制造方法，包括以下步骤：一、将衬底放入真空室，采用电子束加热衬底并在过程中维持恒温；二、采用电子束加热蒸发靶材，在增强沉积过程中提供C源，在衬底上形核，生长成SiC外延。本发明的方法温度低、效率高、制造周期短、成本低；电子束轰击能够增强气相沉积，提高原子的离化率，提供形核和扩散动力，制备的SiC衬底外延缺陷少；并且尺寸不受限制，只与真空室尺寸有关，最大可达32英寸以上，显著提高了第三代半导体的制造效率、质量，降低了成本。