发明公开
- 专利标题: 一种三轴磁电耦合传感器灵敏度张量的标定方法
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申请号: CN202410533769.3申请日: 2024-04-30
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公开(公告)号: CN118566809A公开(公告)日: 2024-08-30
- 发明人: 储昭强 , 崔建宇 , 但卫 , 杜泽林
- 申请人: 哈尔滨工程大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号
- 专利权人: 哈尔滨工程大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工程大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号
- 代理机构: 山东省中观知识产权代理事务所
- 代理商 董永志
- 主分类号: G01R35/00
- IPC分类号: G01R35/00 ; G01R33/06 ; G01R33/00
摘要:
本发明提出了一种三轴磁电耦合传感器灵敏度张量的标定方法,包括以下步骤:对被测三轴磁电耦合传感器的方向进行定义,并将其放在高精度三轴旋转台上,将三轴磁电耦合传感器和高精度三轴旋转台一同放在单轴亥姆霍兹线圈中,通过单轴亥姆霍兹线圈给三轴磁电耦合传感器施加交变磁场;通过高精度三轴转台控制三轴磁电耦合传感器使其X轴方向、Y轴方向、Z轴方向分别与单轴亥姆霍兹线圈轴线方向平行,记录在三种磁场激励下三轴磁电耦合传感器的九个输出结果,将其按顺序写成二阶张量S,借此,本发明具有使总场测试结果更加精确的优点,同时单轴亥姆霍兹线圈还具有系统更加简单,所需信号源与亥姆霍兹线圈更少等优点。