- 专利标题: 一种基于ICEEMDAN与SSA-LSTM组合模型的电离层TEC预测方法
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申请号: CN202410587837.4申请日: 2024-05-13
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公开(公告)号: CN118585878A公开(公告)日: 2024-09-03
- 发明人: 孙希延 , 张振国 , 纪元法 , 卢丹 , 付文涛 , 梁维彬 , 贾茜子 , 邹玉华 , 孙文杰 , 李龙 , 李晶晶 , 白杨
- 申请人: 桂林电子科技大学 , 南宁桂电电子科技研究院有限公司
- 申请人地址: 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号;
- 专利权人: 桂林电子科技大学,南宁桂电电子科技研究院有限公司
- 当前专利权人: 桂林电子科技大学,南宁桂电电子科技研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号;
- 代理机构: 桂林文必达专利代理事务所
- 代理商 白洪
- 主分类号: G06F18/241
- IPC分类号: G06F18/241 ; G06F18/2131 ; G06F18/214 ; G06N3/0442 ; G06N3/086 ; G01T1/29
摘要:
本发明涉及电离层总电子含量预测技术领域,具体涉及一种基于ICEEMDAN与SSA‑LSTM组合模型的电离层TEC预测方法,首先,采用ICEEMDAN和样本熵方法对获取的电离层TEC原始数据进行“分解‑重构”生成高频、中频和低频分量;其次,将各分量分别划分为训练集和测试集并对其归一化处理,利用麻雀搜索算法优化LSTM模型超参数,训练基于LSTM网络的电离层TEC预测模型;最后,对各分量预测结果进行反归一化和整合,输出电离层TEC预测结果并评估模型性能。本发明利用ICEEMDAN和SSA‑LSTM组合模型方法充分考虑到电离层TEC数据自身具有非线性、非平稳性的特点,给模型训练提供了高质量的输入,提升了电离层TEC预测精度。