发明公开
- 专利标题: 一种碳包覆低温熔盐技术制备预锂化的氧化亚硅及其在储能电池的应用
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申请号: CN202410786312.3申请日: 2024-06-18
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公开(公告)号: CN118598143A公开(公告)日: 2024-09-06
- 发明人: 张义永 , 侯冀岳 , 李雪 , 张英杰 , 董鹏 , 杜宁 , 刘聪
- 申请人: 昆明理工大学 , 云南锂宸新材料科技有限公司
- 申请人地址: 云南省昆明市呈贡区景明南路727号;
- 专利权人: 昆明理工大学,云南锂宸新材料科技有限公司
- 当前专利权人: 昆明理工大学,云南锂宸新材料科技有限公司
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市呈贡区景明南路727号;
- 代理机构: 北京东方盛凡知识产权代理有限公司
- 代理商 张国麒
- 主分类号: C01B33/18
- IPC分类号: C01B33/18 ; H01M10/0525 ; H01M10/054 ; H01M4/36 ; H01M4/485
摘要:
本发明公开了一种碳包覆低温熔盐技术制备预锂化的氧化亚硅及其在储能电池的应用,属于储能技术领域。本发明的碳包覆的预锂化氧化亚硅材料的制备方法,包括以下步骤:将氧化亚硅和锂盐混合,熔盐烧结,得到预锂化氧化亚硅材料;将所述预锂化氧化亚硅材料和固态碳源混合,煅烧,得到所述碳包覆的预锂化氧化亚硅材料。本发明通过低温熔盐烧结的技术得到预锂化的氧化亚硅材料,再通过碳源混合煅烧进行碳包覆,在首圈充放电过程中有效提高了库伦效率,进而提升整个电池的能量密度,并且长循环稳定性也得到了显著改善。