本发明公开了一种基于S i C器件制备的碳化硅器件表面碳保护膜去除方法，涉及碳化硅器件加工技术领域，本发明包括S1退火软化，对碳化硅器件待清除部位进行加热退火处理，S2计算反应体积，计算碳化硅器件表面碳保护膜的堆积厚度以及覆盖面积，并计算待反应材料量，S3制备溶液，准备酸性溶液以及催化剂，S4超声波清除，对完成反应的碳化硅器件表面进行超声波清洗处理，将反应后的碳保护膜残渣进行去除，S5残余检测，使用发射光谱法对处理完成的碳化硅器件表面进行残余物质检测。本发明对反应溶液的剂量进行精准控制，可有效的防止误差影响碳保护膜的去除操作，并且通过发射光谱法能够有效且科学的检测碳保护膜是否完全去除，提高了整个操作的准确性。