发明公开
- 专利标题: IGBT开通瞬态电压计算方法及装置
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申请号: CN202410707064.9申请日: 2024-06-03
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公开(公告)号: CN118625085A公开(公告)日: 2024-09-10
- 发明人: 袁文迁 , 季一润 , 谢丽芳 , 袁茜 , 槐青 , 高岩峰 , 宋鹏 , 李雨 , 杨敏祥 , 黄彬 , 刘蓁
- 申请人: 华北电力科学研究院有限责任公司 , 国家电网有限公司
- 申请人地址: 北京市西城区复兴门外地藏庵南巷一号;
- 专利权人: 华北电力科学研究院有限责任公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人: 华北电力科学研究院有限责任公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市西城区复兴门外地藏庵南巷一号;
- 代理机构: 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理商 周永君
- 主分类号: G01R31/26
- IPC分类号: G01R31/26 ; G01R19/00
摘要:
本申请公开了一种IGBT开通瞬态电压计算方法及装置,所述方法包括:计算半桥电路中的漂移区压降;计算半桥电路中的空间电荷区压降;根据所述漂移区压降和所述空间电荷区压降得到所述IGBT器件开通瞬间的IGBT芯片瞬态压降。本申请通过集电极电流的瞬态电流波形计算IGBT开通瞬态的集射极电压,保证IGBT开通瞬态电压计算的准确性。