Invention Publication
CN118632614A 磁阻效应元件
审中-实审
- Patent Title: 磁阻效应元件
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Application No.: CN202410906303.3Application Date: 2020-12-08
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Publication No.: CN118632614APublication Date: 2024-09-10
- Inventor: 犬伏和海 , 中田胜之 , 市川心人
- Applicant: TDK株式会社
- Applicant Address: 日本
- Assignee: TDK株式会社
- Current Assignee: TDK株式会社
- Current Assignee Address: 日本
- Agency: 北京尚诚知识产权代理有限公司
- Agent 杨琦; 梁策
- Priority: 2020-172690 20201013 JP 2020-172690 20201013 JP
- Main IPC: H10N50/10
- IPC: H10N50/10 ; H10N50/85
Abstract:
本发明提供能够降低磁致伸缩的磁阻效应元件。该磁阻效应元件包括第一铁磁性层、第二铁磁性层、位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间的非磁性层，所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一者包括具有结晶区域和非晶区域的霍伊斯勒合金层。
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