发明授权
- 专利标题: 温差发电芯片及其工作方法、三维集成电路
-
申请号: CN202411104423.8申请日: 2024-08-13
-
公开(公告)号: CN118647249B公开(公告)日: 2024-10-18
- 发明人: 符露 , 赵毅 , 李少白 , 莫晓霖 , 陈钰文 , 胡坤梅
- 申请人: 珠海硅芯科技有限公司
- 申请人地址: 广东省珠海市香洲区卫康路199号香洲创港中心20栋12层1205-1室
- 专利权人: 珠海硅芯科技有限公司
- 当前专利权人: 珠海硅芯科技有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省珠海市香洲区卫康路199号香洲创港中心20栋12层1205-1室
- 代理机构: 珠海智专专利商标代理有限公司
- 代理商 林永协
- 主分类号: H10N10/17
- IPC分类号: H10N10/17 ; H10N10/80 ; H10N19/00 ; F25B21/04
摘要:
本发明提供一种温差发电芯片及其工作方法、三维集成电路,该温差发电芯片包括第一晶粒层和第二晶粒层,第一晶粒层与第二晶粒层之间形成有电绝缘的介质层,第一晶粒层内设置有磁性塞贝克热电结构体,第二晶粒层内设置有非磁性塞贝克热电结构体;第一晶粒层远离介质层的一侧设置有芯片元件层,芯片元件层上设置有温度控制阀门、温度控制电路和充电模块;当温度控制阀门处于第一开关状态时,温度控制阀门使充电模块连接至磁性塞贝克热电结构体;当温度控制阀门处于第二开关状态时,温度控制阀门使充电模块连接至非磁性塞贝克热电结构体。本发明还提供具有上述温差发电芯片的三维集成电路。本发明的温差发电芯片的热电转换效率高。
公开/授权文献
- CN118647249A 温差发电芯片及其工作方法、三维集成电路 公开/授权日:2024-09-13