Invention Publication
- Patent Title: 一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法和结构
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Application No.: CN202410827246.XApplication Date: 2024-06-25
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Publication No.: CN118678559APublication Date: 2024-09-20
- Inventor: 仵金玲 , 高巍 , 戴茂州
- Applicant: 成都蓉矽半导体有限公司
- Applicant Address: 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区黄甲街道物联一路8号
- Assignee: 成都蓉矽半导体有限公司
- Current Assignee: 成都蓉矽半导体有限公司
- Current Assignee Address: 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区黄甲街道物联一路8号
- Agency: 成都睿道专利代理事务所
- Agent 刘粤
- Main IPC: H05K3/12
- IPC: H05K3/12 ; H05K3/14 ; H05K1/02
Abstract:
本发明提供了一种增材制造陶瓷覆铜基板的方法和结构，涉及功率器件基板制造技术领域，目的是制造出寿命更强、可靠性更高的功率模块，包括以下步骤：通过增材制造技术制备具有导电层拓扑图案的陶瓷基板；对所述陶瓷基板进行表面粗糙化处理；通过增材制造技术打印具有导电层拓扑图案的塑性或刚性掩膜，将所述掩膜安装到所述陶瓷基板；对所述陶瓷基板进行冷喷涂处理。本发明制作的功率模块具有寿命更长、集成度更高且更可靠的优点。
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