发明公开
- 专利标题： 超长水平阵列碳纳米管及其制备方法
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申请号： CN202410835957.1申请日： 2024-06-26
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公开(公告)号： CN118684219A公开(公告)日： 2024-09-24
- 发明人: 朱振兴 , 魏飞 , 杜云龙 , 陈思博 , 竺俞康
- 申请人： 清华大学
- 申请人地址： 北京市海淀区清华园1号
- 专利权人： 清华大学
- 当前专利权人： 清华大学
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华园1号
- 代理机构： 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 梁柏祺
- 主分类号： C01B32/162
- IPC分类号： C01B32/162 ; C01B32/168 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明公开了一种超长水平阵列碳纳米管及其制备方法，所述方法包括：将催化剂负载在碳纳米管薄膜上，然后将负载催化剂的碳纳米管薄膜包覆在生长基底一侧；将所述生长基底置于反应器中，通入保护气并升温至反应温度；向所述反应器中通入含有碳源的气体，以便在所述生长基底上制备得到所述超长水平阵列碳纳米管。由此，能够实现超长碳纳米管在大尺寸晶圆级硅片表面的高密度顺排生长。
