发明公开
- 专利标题: 一种测试片的制造方法及测试方法
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申请号: CN202410762141.0申请日: 2024-06-13
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公开(公告)号: CN118692936A公开(公告)日: 2024-09-24
- 发明人: 邱舜国 , 李辉斌 , 周璇 , 周天彪 , 钟泳生 , 郭国强
- 申请人: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
- 申请人地址: 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区);
- 专利权人: 珠海格力电子元器件有限公司,珠海格力电器股份有限公司
- 当前专利权人: 珠海格力电子元器件有限公司,珠海格力电器股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区);
- 代理机构: 北京同辉知识产权代理事务所
- 代理商 侯春扬
- 主分类号: H01L21/66
- IPC分类号: H01L21/66
摘要:
本发明提供了一种测试片的制造方法及测试方法,包括:在碳化硅晶圆上生长氧化层;剥除所述氧化层;在碳化硅晶圆上生长栅氧化层;在生长好的栅氧化层上沉积多晶硅层;对多晶硅层进行刻蚀,以形成凹槽,在凹槽的两侧形成测试部;去除碳化硅晶圆上背离所述测试部一侧的多晶硅层和所述氧化层,在所述碳化硅晶圆远离所述测试部的一面上制作金属电极,从而形成测试片,本发明的测试片的制造方法解决了碳化硅功率场效应管器件的栅氧化层性能不方便检测的技术问题。
IPC分类: