一种测试片的制造方法及测试方法
摘要:
本发明提供了一种测试片的制造方法及测试方法,包括:在碳化硅晶圆上生长氧化层;剥除所述氧化层;在碳化硅晶圆上生长栅氧化层;在生长好的栅氧化层上沉积多晶硅层;对多晶硅层进行刻蚀,以形成凹槽,在凹槽的两侧形成测试部;去除碳化硅晶圆上背离所述测试部一侧的多晶硅层和所述氧化层,在所述碳化硅晶圆远离所述测试部的一面上制作金属电极,从而形成测试片,本发明的测试片的制造方法解决了碳化硅功率场效应管器件的栅氧化层性能不方便检测的技术问题。
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