本发明涉及一种单模激射VCSEL结构与激光横模控制方法属于半导体激光器领域。本发明的目的之一是提供一种单模激射VCSEL结构，通过构建相位范围#imgabs0#的超透镜晶格单元，使其组成对光场有汇聚作用的超表面透镜，将VCSEL基模汇聚至焦点处，并且使高阶横模发散。在单模激射VCSEL结构基础上，本发明目的之二是提供一种单模激光模式选择方法，通过超表面透镜以及介电质DBR反射，能够使得在基模没有损耗的情况下，滤除掉高阶模式，从而实现在不损伤基模功率的情况下，对VCSEL的高阶横模进行抑制，实现基模高功率稳定单模输出。本发明的目的之三是提供一种用于横模控制的VCSEL结构的制备方法，用于制备所述一种激光模式选择的VCSEL。本发明能够减小基模激光的损耗，提高VCSEL功率。