本发明公开了一种单晶六方[111]取向的CdSexTe1‑x二维纳米片的制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。本发明结合化学气相沉积与范德华外延生长的方法，以碲化镉粉末、硒化镉粉末和氯化镉粉末作为蒸发源，氩气和氢气混合气作为沉积反应气氛，原子级平整的云母作为范德华外延衬底，通过调控生长源的位置以及反应温度和时间，得到了成分可调、高质量的单晶六方[111]取向的CdSexTe1‑x二维纳米片。本方法工艺简单，对设备要求低，制备出的CdSexTe1‑x二维纳米片具有均一的[111]取向，成分可调等优点，在纳米光电器件研究领域具有较高研究价值和应用前景。