本发明属于晶体生长及装置领域，具体涉及氧化镓晶体的温区位移布里奇曼法单晶生长装置与方法。氧化镓晶体的温区位移布里奇曼法单晶生长装置，包括炉体、加热系统、支撑系统和升降系统，所述炉体包括炉门、炉壳、炉顶和炉底，所述加热系统设置于炉体内部，所述加热系统包括主加热器、辅助加热器和隔热支撑板，所述辅助加热器设置于隔热支撑板上，所述升降系统贯穿炉顶伸入炉体内部与所述主加热器相连，所述支撑系统包括贯穿炉底伸入炉体内部且内部通有冷却水的水冷支撑座和与水冷支撑座相连的坩埚支架，所述坩埚支架上设置坩埚。通过移动温区而非坩埚，防止因坩埚位移震动导致的氧化镓晶体极易出现位错、孪晶等缺陷，从而生长高质量的氧化镓晶体。