发明公开
- 专利标题： 用于有源矩阵背板的具有高介电常数的层状结构
-
申请号： CN202410752055.1申请日： 2020-04-30
-
公开(公告)号： CN118759773A公开(公告)日： 2024-10-11
- 发明人: C·维沙尼 , S·J·特尔弗 , K·拉达瓦茨 , K·R·可劳恩斯 , T·J·奥马利 , 辛德平
- 申请人： 伊英克公司
- 申请人地址： 美国马萨诸塞州
- 专利权人： 伊英克公司
- 当前专利权人： 伊英克公司
- 当前专利权人地址： 美国马萨诸塞州
- 代理机构： 北京泛华伟业知识产权代理有限公司
- 代理商 王博
- 优先权： 62/843082 20190503 US
- 主分类号： G02F1/1675
- IPC分类号： G02F1/1675 ; G02F1/1676 ; G02F1/1685 ; G09G3/34 ; G09G3/20
摘要：
一种用于有源矩阵背板的具有高介电常数的层状结构，用于控制微电子装置中的介电强度的层状电介质材料，尤其是当电子装置涉及电泳和电润湿应用时。具体地，第一原子层沉积(ALD)步骤、溅射步骤和第二ALD步骤的组合产生化学稳健且几乎无针孔的层。介电层可以布置在电泳显示器的透明公共电极上或覆盖像素化背板电极，或两者。
