Invention Publication
- Patent Title: 一种基于500kV GIS的PT励磁曲线仿真分析方法
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Application No.: CN202410739006.4Application Date: 2024-06-07
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Publication No.: CN118761200APublication Date: 2024-10-11
- Inventor: 李振强 , 王磊 , 陈小月 , 冯思颖
- Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 武汉大学
- Applicant Address: 北京市海淀区清河小营东路15号;
- Assignee: 中国电力科学研究院有限公司,武汉大学
- Current Assignee: 中国电力科学研究院有限公司,武汉大学
- Current Assignee Address: 北京市海淀区清河小营东路15号;
- Agency: 北京领果世纪知识产权代理有限公司
- Agent 刘元仁
- Main IPC: G06F30/20
- IPC: G06F30/20

Abstract:
本发明公开了一种基于500kV GIS的PT励磁曲线仿真分析方法,属于PT励磁特性测量技术领域。包括在ATP‑EMIP中建立500kV GIS电站铁磁谐振模型,并确定PT励磁特性参数及模型;通过铁芯的磁特性进行转换,获取PT励磁特性曲线;对500kV GIS电站的PT铁磁谐振进行仿真分析。发明采用上述的一种基于500kV GIS的PT励磁曲线仿真分析方法,利用ATP‑EMTP电磁暂态程序进行了详细的仿真计算,在仿真过程中提出了PT励磁曲线的获取方法及对仿真结果的影响。在实际应用中,根据材料具体情况选取方法软磁材料测试方法或伏安特性测试方法。如果测试的材料容易达到深度饱和,那么用伏安特性测试比较方便,否则就用专门的材料测试设备进行测试来保证计算的准确性。
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