发明公开
CN118778186A 半导体结构及其形成方法
审中-实审
- 专利标题: 半导体结构及其形成方法
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申请号: CN202310354879.9申请日: 2023-04-04
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公开(公告)号: CN118778186A公开(公告)日: 2024-10-15
- 发明人: 王丰茂 , 陈晓军 , 方文斌 , 吴家亨 , 杨铮 , 惠海霞
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号
- 代理机构: 上海知锦知识产权代理事务所
- 代理商 高静
- 主分类号: G02B6/42
- IPC分类号: G02B6/42 ; G02B6/136
摘要:
一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供衬底,所述衬底上形成有介电层以及掩埋于所述介电层中的光波导层;在所述衬底中形成位于所述光波导层底部的光耦合调节介质,所述光耦合调节介质的折射率低于衬底的折射率以及介电层的折射率。本发明在光波导层底部形成光耦合调节介质,由于光耦合调节介质的折射率低于衬底的折射率以及介电层的折射率,因此光耦合调节介质有利于减少光在传播过程经衬底的耦合,相应地有利于降低光在波导传播过程中的损耗,从而提高光的耦合效率,进而提高半导体结构的性能。