Invention Publication
- Patent Title: 一种与二维材料兼容的单晶Al2O3介质及其集成器件
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Application No.: CN202410851399.8Application Date: 2024-06-28
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Publication No.: CN118782638APublication Date: 2024-10-15
- Inventor: 狄增峰 , 田子傲 , 曾道兵 , 张苗 , 张杰军
- Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- Applicant Address: 上海市长宁区长宁路865号
- Assignee: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- Current Assignee: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- Current Assignee Address: 上海市长宁区长宁路865号
- Agency: 上海泰博知识产权代理有限公司
- Agent 魏峯
- Main IPC: H01L29/51
- IPC: H01L29/51 ; H01L21/316 ; H01L21/34 ; B82Y10/00 ; B82Y40/00
Abstract:
本发明涉及一种与二维材料兼容的单晶Al2O3介质及其集成器件，通过在单晶石墨烯/锗(110)衬底上范德华(vdW)外延单晶Al薄膜，将所述单晶Al薄膜从石墨烯/锗衬底上剥离并进行插层氧化，在所述单晶Al薄膜的下表面生成与二维材料兼容的单晶Al2O3介质。本发明得到的单晶Al2O3介质的栅极漏电流(J
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IPC分类:
