Invention Publication
- Patent Title: 降噪方法、多层结构卷曲型复合吸声结构及吸声降噪方法
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Application No.: CN202411032257.5Application Date: 2024-07-30
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Publication No.: CN118824219APublication Date: 2024-10-22
- Inventor: 孙启元 , 高椿明 , 卢涛 , 王硕 , 龚艳丽 , 王亚非
- Applicant: 宜宾电子科技大学研究院 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
- Applicant Address: 四川省宜宾市三江新区长江北路西段附二段430号;
- Assignee: 宜宾电子科技大学研究院,电子科技大学(深圳)高等研究院
- Current Assignee: 宜宾电子科技大学研究院,电子科技大学(深圳)高等研究院
- Current Assignee Address: 四川省宜宾市三江新区长江北路西段附二段430号;
- Agency: 成都点睛专利代理事务所
- Agent 孙一峰
- Main IPC: G10K11/168
- IPC: G10K11/168 ; B32B33/00 ; B32B3/24 ; B32B3/30

Abstract:
本发明涉及噪声控制技术领域,具体公开了一种降噪方法、多层结构卷曲型复合吸声结构及吸声降噪方法;所述吸声结构包括降噪结构单元、以及设置在降噪结构单元底部的底层单元;所述降噪结构单元包括多层依次层叠设置且用于对于不同频点噪声进行降噪的吸声降噪单元;多层所述吸声降噪单元位于底层单元的上方;每组所述吸声降噪单元设置有至少一组卷曲腔;声波进入吸声降噪单元内设置的卷曲腔内实现降噪。本发明在相同吸声面积下可设计出更多的吸声频点,提升吸声材料的低频性能,保证了高频性能衰减较少,从而使其整体吸声性能提升,且制作简单、降低了传统共振吸声结构在实际运用中的加工难度。
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