发明公开
- 专利标题： 一种晶硅异质结太阳能电池非晶硅钝化层结构及其制备方法
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申请号： CN202411157768.X申请日： 2024-08-22
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公开(公告)号： CN118841473A公开(公告)日： 2024-10-25
- 发明人: 张闻斌 , 张忠卫 , 杨均炎 , 沈文忠 , 贺礼 , 李正平
- 申请人： 安徽乾景宇辰新能源有限公司
- 申请人地址： 安徽省淮南市凤台县经济开发区中能众诚装备产业园9号
- 专利权人： 安徽乾景宇辰新能源有限公司
- 当前专利权人： 安徽乾景宇辰新能源有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省淮南市凤台县经济开发区中能众诚装备产业园9号
- 代理机构： 南京苏高专利商标事务所
- 代理商 邢洁妮
- 主分类号： H01L31/0747
- IPC分类号： H01L31/0747 ; H01L31/0216 ; H01L31/20
摘要：
本发明公开了一种晶硅异质结太阳能电池非晶硅钝化层结构及其制备方法，所述非晶硅钝化层结构包括N型硅片，所述N型硅片正面由内向外依次设有：高氢稀释比沉积的i‑a‑Si:H薄膜，低氢稀释比沉积的i‑a‑Si:H薄膜，N型掺杂层，TCO导电膜和电极，所述N型硅片的背面由内向外依次设有：高氢稀释比沉积的i‑a‑Si:H薄膜，低氢稀释比沉积的i‑a‑Si:H薄膜，P型掺杂层，TCO导电膜和电极；所述高氢稀释比沉积时采用流量比6～8:1的H2和SiH4，所述低氢稀释比沉积时采用流量比4～5:1的H2和SiH4。本发明所述的晶硅异质结太阳能电池表现出优异的光伏性能，具有良好的应用前景。
IPC分类:
