Invention Publication
- Patent Title: 一种低铁损双重包覆软磁复合材料及其制备方法
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Application No.: CN202410967805.7Application Date: 2024-07-18
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Publication No.: CN118888242APublication Date: 2024-11-01
- Inventor: 韩钰 , 孙浩 , 杨富尧 , 刘辉 , 陈新 , 刘洋 , 高洁 , 王聪 , 刘成宇 , 尚以磊
- Applicant: 国网智能电网研究院有限公司
- Applicant Address: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- Assignee: 国网智能电网研究院有限公司
- Current Assignee: 国网智能电网研究院有限公司
- Current Assignee Address: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- Agency: 北京中巡通大知识产权代理有限公司
- Agent 齐书田
- Main IPC: H01F1/147
- IPC: H01F1/147 ; H01F1/24 ; H01F27/255 ; H01F41/00 ; H01F41/02

Abstract:
本发明提供了一种低铁损双重包覆软磁复合材料及其制备方法,制备原料包括绝缘包覆磁粉、粘结剂和脱模剂;所述绝缘包覆磁粉包括包覆SiO2的磁粉以及包覆在包覆SiO2的磁粉表面的氧化硼绝缘包覆层,所述包覆SiO2的磁粉包括金属磁粉以及包覆在金属磁粉表面的SiO2绝缘包覆层;所述金属磁粉包括第一种金属磁粉Fe‑Si‑Ge‑R1和第二种金属磁粉Fe‑Si‑Al‑C‑R2。本发明制得的低铁损双重包覆软磁复合材料具有低中高频损耗,还具有高的初始磁导率,适用于变压器、电抗器等电工装备。
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