Invention Publication
- Patent Title: 一类界面高熵的层状氧化物钠离子电池正极材料及其制备方法和应用
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Application No.: CN202410926326.0Application Date: 2024-07-11
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Publication No.: CN118899433APublication Date: 2024-11-05
- Inventor: 郭玉国 , 金若溪 , 郭玉洁 , 万立骏
- Applicant: 中国科学院化学研究所
- Applicant Address: 北京市海淀区中关村北一街2号
- Assignee: 中国科学院化学研究所
- Current Assignee: 中国科学院化学研究所
- Current Assignee Address: 北京市海淀区中关村北一街2号
- Agency: 北京中知星原知识产权代理事务所
- Agent 王维佳; 艾变开
- Main IPC: H01M4/525
- IPC: H01M4/525 ; H01M4/505 ; H01M4/485 ; H01M10/054 ; C01G53/00

Abstract:
本发明提供了一种界面高熵的层状氧化物钠离子电池正极材料及其制备方法和应用,正极材料的化学式表达为NaNixFeyMnzAaBbCcDdO2,其中x+y+z+a+b+c+d=1,a+b+c+d≤0.1,且a>0、b>0、c>0,d≥0,其中,A为Y、Zr、Nb中的至少一种,B为镧系元素或者Ta、W中的至少一种,C、D为第四五周期过渡金属元素中的至少一种。所述正极材料的制备方法过程简单,适宜规模化生产。本发明通过调节掺杂源的加入顺序,利用了第四五周期过渡金属元素倾向于表面偏析的特点,通过痕量多元素掺杂构筑了界面高熵尖晶石结构,并且各掺杂元素分布均匀,增强材料的界面结构稳定性,有效地提高材料的循环性能。
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