发明公开
- 专利标题: 一种一步法熔盐电解制备高硅钢的方法
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申请号: CN202410943331.2申请日: 2024-07-15
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公开(公告)号: CN118910679A公开(公告)日: 2024-11-08
- 发明人: 焦树强 , 王哲 , 许靓雅 , 李世杰 , 黄峥
- 申请人: 兰州理工大学 , 北京科技大学
- 申请人地址: 甘肃省兰州市七里河区兰工坪路287号;
- 专利权人: 兰州理工大学,北京科技大学
- 当前专利权人: 兰州理工大学,北京科技大学
- 当前专利权人地址: 甘肃省兰州市七里河区兰工坪路287号;
- 代理机构: 武汉金睿科知识产权代理事务所
- 代理商 康文洁
- 主分类号: C25C3/34
- IPC分类号: C25C3/34 ; C25C7/00 ; C25C7/06
摘要:
本发明提供了一种一步法熔盐电解制备高硅钢的方法,属于金属材料合成与加工领域。本发明采用氟化物、氯化物熔盐加入氧化物、氟硅酸盐的工艺,取基底为≤3wt%Si的硅钢或纯铁,厚度为0.1~0.65mm,宽度为10mm。经表面处理作阴极,硅棒作阳极,在氟化物、氯化物熔盐中经过特定的温度恒电流电解进行沉积硅和扩散硅处理,本发明通过调控电流密度、电解温度、时间和熔盐中硅离子浓度等参数,在1000℃~1200℃沉积和扩散同时进行,使沉积的硅均匀扩散至基体内部,最终制得6.5wt%Si硅钢。该工艺使用≤3wt%Si硅钢或纯铁为初始原料,制备的高硅钢具有良好的磁性能和延伸性能,实现了熔盐及电解质的绿色循环利用,易加工且可大规模生产应用。