- 专利标题: 高压电常数、低强场介电损耗压电陶瓷及制备方法
-
申请号: CN202411066701.5申请日: 2024-08-06
-
公开(公告)号: CN118930261A公开(公告)日: 2024-11-12
- 发明人: 褚涛 , 王仕海 , 张元松 , 何婧 , 王兰花 , 秦洁
- 申请人: 贵州振华红云电子有限公司
- 申请人地址: 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段236号
- 专利权人: 贵州振华红云电子有限公司
- 当前专利权人: 贵州振华红云电子有限公司
- 当前专利权人地址: 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段236号
- 代理机构: 贵阳春秋知识产权代理事务所(普通合伙) 52109专利代理师杨云
- 主分类号: C04B35/493
- IPC分类号: C04B35/493 ; C04B35/622 ; C04B35/638 ; C04B41/88
摘要:
本发明公开了一种压电陶瓷及制备方法,旨在提供一种高压电常数、低强场介电损耗压电陶瓷及其制备方法。本发明压电陶瓷结构通式为:Pb(ZrzTi1‑z)x(Co1/3Nb2/3)y(Mn1/3Nb2/3)1‑x‑yO3+nwt%A,x=0.85~0.95、y=0.01~0.06、z=0.45~0.55、n=0.1~1,A为改性元素的氧化物,所述改性元素为Mg、Al、Yb中的一种或几种。本发明方法是:将Pb3O4、ZrO2、TiO2、Co2O3、Nb2O5、MnO2和改性元素氧化物A按化学比例称量,加水球磨、烘干得一次磨料;预烧一次磨料;预烧料再次球磨、烘干,得陶瓷粉料;将所述陶瓷粉料与聚乙烯醇混合均匀、造粒、压片成型,得瓷坯;烧结该瓷坯得瓷片;瓷片被银;该被银陶瓷片极化处理。本发明压电陶瓷完全能够满足超声焊接和超声探伤换能器对压电陶瓷的性能要求。
IPC分类: