发明公开
- 专利标题: 一种沟槽波导结构的片上稳频气室及其稳频方法
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申请号: CN202410994984.3申请日: 2024-07-24
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公开(公告)号: CN118943884A公开(公告)日: 2024-11-12
- 发明人: 李宝帅 , 李昊宇 , 朱兴邦 , 张志伟 , 李国超 , 孙庆旭
- 申请人: 中国电子科技集团公司第四十一研究所
- 申请人地址: 山东省青岛市黄岛区香江路98号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第四十一研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第四十一研究所
- 当前专利权人地址: 山东省青岛市黄岛区香江路98号
- 代理机构: 青岛智地领创专利代理有限公司
- 代理商 种艳丽
- 主分类号: H01S5/0687
- IPC分类号: H01S5/0687 ; H01S5/065
摘要:
本发明公开了一种沟槽波导结构的片上稳频气室及其稳频方法,属于稳频激光器气室设计领域,本发明利用CMOS工艺平台,可以实现稳频气室的微型化,使得激光器系统的体积大幅减小;沟槽波导结构可以提供更好的光限制和更低的光损耗,使光更充分的与气体接触发生饱和吸收效应,从而提升激光的频率稳定性;相对于传统的稳频激光器气室,基于沟槽波导结构的气室可以通过集成制造来降低成本,使其更适合大规模生产和商业应用;沟槽波导结构可以与其他光学元件,如调制器、探测器等集成在同一芯片上,这有助于实现更高水平的功能集成和系统简化。