本发明公开了一种场效应晶体管终端结构和二极管器件，涉及半导体技术领域，场效应晶体管终端结构包括设置于二极管器件漂移区上部的主结、场限环和沟槽结构，场限环为多个，主结设置于漂移区靠近二极管器件的有源器件的一端，沟槽结构设置于漂移区远离有源器件的一端，所有场限环均设置于主结与沟槽结构之间，沟槽结构内填充有绝缘介质。二极管器件包括相互连接的有源器件和场效应晶体管终端结构。本发明能够提高场效应晶体管终端结构的电场均匀性，进而能够提高二极管器件的耐压能力，且能够为二极管器件的绝缘设计提供较好的指导意义。