发明授权
CN1190837C 半导体装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体装置
- 专利标题（英）： Semiconductor device
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申请号： CN99815785.6申请日： 1999-09-14
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公开(公告)号： CN1190837C公开(公告)日： 2005-02-23
- 发明人: 佐佐木雅子 , 铃木一成 , 市原诚一 , 下石智明 , 中村寿雄 , 西邦彦 , 田中英树 , 中嶋宽
- 申请人： 株式会社日立制作所
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 株式会社日立制作所
- 当前专利权人： 株式会社日立制作所
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王永刚
- 优先权： 035784/1999 1999.02.15 JP
- 国际申请： PCT/JP1999/005027 1999.09.14
- 国际公布： WO2000/048247 JA 2000.08.17
- 进入国家日期： 2001-07-23
- 主分类号： H01L23/31
- IPC分类号： H01L23/31
摘要：
半导体装置是由包含在电路形成面(1X)上具有电极(1C)的半导体芯片(1)，覆盖上述半导体芯片(1)的电路形成面(1X)的树脂(7)，和覆盖与上述半导体芯片(1)的电路形成面(1X)相对的背面(1Y)的树脂薄膜(2)构成的。通过这样的构成，可以防止半导体芯片的龟裂。
公开/授权文献
- CN1333921A 半导体装置及其制造方法和电子装置 公开/授权日：2002-01-30
IPC分类:
