Invention Publication
- Patent Title: 适用于功率半导体器件内部测温的光子芯片温度传感器
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Application No.: CN202411417962.7Application Date: 2024-10-11
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Publication No.: CN119268875APublication Date: 2025-01-07
- Inventor: 张锦龙 , 查鲲鹏 , 栾洪洲 , 任孟干 , 李天琦 , 汪涛 , 王圆鑫 , 古振宏 , 袁创 , 郭宇豪
- Applicant: 河南大学 , 中电普瑞电力工程有限公司 , 国网河南省电力公司直流中心
- Applicant Address: 河南省郑州市明理路北段379号; ;
- Assignee: 河南大学,中电普瑞电力工程有限公司,国网河南省电力公司直流中心
- Current Assignee: 河南大学,中电普瑞电力工程有限公司,国网河南省电力公司直流中心
- Current Assignee Address: 河南省郑州市明理路北段379号; ;
- Agency: 郑州芝麻知识产权代理事务所
- Agent 张丹丹
- Main IPC: G01K11/3206
- IPC: G01K11/3206 ; G01K13/10 ; G01D5/353

Abstract:
本发明涉及一种适用于功率半导体器件内部测温的光子芯片温度传感器,包括绝缘接口、单模光纤、端面耦合器和光子芯片,绝缘接口包括接口主体、接口底座和光纤连接口,光子芯片包括波导光栅,接口主体和光纤连接口由接口底座连接,光纤连接口连接单模光纤的一端,单模光纤的另一端通过端面耦合器连接波导光栅,该光子芯片温度传感器可以在高温、高压、强磁场等特殊环境下监测大功率半导体开关器件的实时温度,根据对测温位置的不同需求,可安装在不同位置,系统具有较高的灵活性。同时不仅具有光学传感器绝缘性好,可直接测量内部温度的优势,相比于传统光学温度检测方法使用光纤光栅测温,光子芯片温度传感器的强度更高。
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