Invention Publication
- Patent Title: 一种光程差均匀性好的导电型碳化硅晶体及碳化硅衬底
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Application No.: CN202411665029.1Application Date: 2024-11-20
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Publication No.: CN119571460APublication Date: 2025-03-07
- Inventor: 张九阳 , 高超 , 李昊 , 王振行 , 石志强 , 李培达 , 马建丽 , 李印 , 孙诗甫 , 马立兴
- Applicant: 上海天岳半导体材料有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号10幢301室
- Assignee: 上海天岳半导体材料有限公司
- Current Assignee: 上海天岳半导体材料有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区鸿音路1211号10幢301室
- Agency: 北京君慧知识产权代理事务所
- Agent 王振南
- Main IPC: C30B29/36
- IPC: C30B29/36 ; G01N21/21
Abstract:
本申请公开了一种光程差均匀性好的导电型碳化硅晶体及碳化硅衬底，属于碳化硅材料制备技术领域。所述碳化硅晶体任意位置处的电阻率
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IPC分类:
