本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种用于半导体器件仿真建模的中心晶片的筛选方法。本发明通过对整片晶圆进行Mapping测试，获得不同尺寸器件的各种电学参数的中位数，并根据电学参数与对应中位数的误差绝对值对每颗晶片计分，最终分值最高的晶片为中心晶片。本发明未遗漏任何一颗晶片，克服了由工艺波动带来的中心晶片电学参数偏离中位数的问题，赋分筛选更具有典型性；避免了现有方法筛选得到的中心晶片中某些尺寸器件和/或电学参数较大地偏离Mapping数据的中位数值的问题，提高了利用中心晶片电学性能建立TCAD仿真模型的准确性。